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    美國Sonix超聲波掃描顯微鏡ECHO LS

    產品型號: ECHO LS
    品  牌: 美國Sonix
    • ≧1 臺
      ¥2885000.00
    所 在 地: 廣東深圳
    更新日期: 2025-06-08
    詳細信息
     品牌:美國Sonix  型號:ECHO LS  加工定制:否  
     類型:超聲波  目鏡放大倍數:10000 x 10000 像素  物鏡放大倍數::10000 x 10000 像素  
     儀器放大倍數:2-3000000倍  重量:163500 g 適用范圍:2-3000000倍  
     裝箱數:1套  重量:163500 g 適用范圍:2-3000000倍  

    美國Sonix超聲波掃描顯微鏡ECHO LS

    簡介
    超聲波顯微鏡被廣泛應用于半導體以及集成電路的制造和封裝測試行業,是一種理想的無損檢測儀器,能夠有效地檢測器件或材料內部的開裂、氣泡、雜質、斷層等缺陷。

    工作原理
    通過壓電陶瓷將電信號轉換成超聲波(>20KHz),用超聲波對樣品內部進行高精度地掃描,根據超聲波在不同密度材料中的傳播速度和反射系數的差異,獲得樣品內部不同區域的超聲波透射或反射,再經由軟件算法處理和成像。SAM的核心構成為,電氣部件、機械裝置、聲學部件、軟件系統。

    產品特點
    SONIX Echo-LS 能檢測到小至 0.05um 的缺陷,而且對于 bump、疊 die(3D 封裝)、倒裝芯片及各種傳統的塑料封裝等具有卓越的檢測性能。提高生產效率和產量,使用 ECHO 的設備和軟件容易的設置和使用

    Sonix ECHO LS非破壞超聲波掃描是一款提高生產、簡化測試、改進生產率和提高產能的生產和實驗室設備,無論是失效分析實驗室的詳細分析還是生產線檢測,Sonix都能提供一個易于操作的軟件解決方案。
    ﹡WinIC Lab (詳細失效分析工具)
    ﹡WinIC Production (易于操作的、新型的生產工具,專門用于生產的大量分析)


    使用 ECHO 生產軟件改進生產產能和提高生產率:
    很容易設定和使用             監測生產質量
    通過/失效存儲               簽定零件

    被廣泛應用于半導體以及集成電路的制造和封裝測試行業,是一種理想的無損檢測儀器,能夠有效地檢測器件或材料內部的開裂、氣泡、雜質、斷層等缺陷。
    其主要工作原理是,通過壓電陶瓷將電信號轉換成超聲波(>20KHz),用超聲波對樣品內部進行高精度地掃描,根據超聲波在不同密度材料中的傳播速度和反射系數的差異,獲得樣品內部不同區域的超聲波透射或反射,再經由軟件算法處理和成像。SAM的核心構成為,電氣部件、機械裝置、聲學部件、軟件系統。


    產品特點
    SONIX Echo-LS 能檢測到小至 0.05um 的缺陷,而且對于 bump、疊 die(3D 封裝)、倒裝芯片及各種傳統的塑料封裝等具有卓越的檢測性能。提高生產效率和產量,使用 ECHO 的設備和軟件容易的設置和使用

    工藝過程監測
    合格/失效分選
    專*認證
    SONIX 掃描探頭頻率范圍從 10MHz 到 300MHz,適合各種類型的應用和材料。

    關鍵特點:
    減少實驗室空間(占地面積小)
    鍵盤快捷鍵(方便移動操作)
    全焊接機身框架(促進平臺穩定性)
    降低水槽高度(人體工程學設計)
    可同時進行反射掃描和透射掃描
    *大 360 度可視
    超大掃描面積
    水槽底部傾斜(易于排干水)
    探頭隨 Z 軸移動(取代托盤上下移動)
    可滑動支架
    符合歐洲機械指令
    緊湊、穩定的結構設計(低維護)
    符合 CE,SEMI S2,NRTL
    可滑動的電氣面板(方便維護)
    防靜電涂層(安全罩、水槽、門等)

    Sonix 探頭的頻率范圍從 10MHz 到 300MHz,為能適用于所有類型的應用和材料設計



    其它特性
    節省潔凈室空間 整體焊接結構(改進平臺的穩定性)
    輕便(移動方便) 可選反射與透射同時進行(快速偵測缺陷)
    減低高度,節省成本 大面積的掃描區域(可放多個 tray 盤或大樣品)
    傾斜缸底(為能徹底排水) Z 軸探頭移動(替代 tray 架子移動)
    可抽出式架子(可擺放夾具和樣品) 符合 CE, SEMI S2, NRTL
    設計緊湊(可節省維護成本) 在安全蓋、槽及門上有靜電涂層


    美國Sonix超聲波掃描顯微鏡ECHO LS 規格

    X 軸
    定位裝置:線性伺服馬達, 線性伺服馬達精度高,無磨損,無需定期做保養校正
    *大掃描速度: 1000mm/秒
    馬達精度: +/- 0.5 微米
    線性光柵尺精度: 0.5 微米
    *大掃描面積: 350mm


    Y 軸                                                     Z 軸
    定位裝置:步進馬達                                            定位裝置:步進馬達
    精度: 0.25 微米                                             精度 : 0.25 微米
    *大行程: 350mm                                             *大行程: 50mm
    夾具
    托盤夾具,掃描平臺以拖住整個 tray 掃描

     
    機身尺寸和重量
    .   31 inches X 31 inches X 48 inches
    .   or 76.66 cm X 76.66 cm X 121.92 cm
    .   360lbs. or 163.5kg


     

    過濾系統
    .     循環泵和 5 微米過濾器,有自動水循環系統,可把水中的雜質過濾,大大減少雜質對掃描結果的影響

    顯示器
    .     雙顯示器

    其它
    .     高對比度水槽底
    .     360 度可見,更方便觀察樣品情況

    WinIC 軟件
    TAMI: 一次掃描可同時獲得*多 100 張 C 超掃描圖像, 在需要時,可自動調節焦距,可看到 IC 所有的分界 面,無需重掃,所有的分界面成像比操作者解釋波形更直觀
    穿透掃描:包括穿透掃描接收器、探頭架、探頭線
    掃描模式:
    A scan: 點掃描模式, 示波器上顯示出反射波的相位和大小來檢測缺陷,用于確認檢測結果
    B-scan: 橫截面掃描,顯示每個界面垂直 x 方向的截面圖
    C-scan: 面掃描,在一個界面對焦后顯示的平行 x 方向的圖片,檢測的缺陷: 離層, 芯片裂縫
    TAMI: 多層掃描,顯示所有界面上平行于 X 方向的2 ~999 層圖象
    T-scan: 穿透掃描, 和 X 射線檢測相似的以透射超聲波為信號的檢測方法

    數據獲取: WinIC
    圖像像素: 10000 x 10000 像素,像素指標越高, 圖像放 大后的清晰度越好
    保存圖像格式: TIFF, PCX, BMP, JPG 或其它格式
    數據檢測方法: T.I 分析方法,采用 TI 方法對缺陷點進 行分析及判斷, 會更加準確.
    相位檢測:有
    射頻增益: 80dB,高增益使能量更大, 具備更強的穿透 能力


    軟件功能:
    自動計算缺陷面積 圖像增強
    厚度測量
    文字注釋

    著色功能
    距離測量
    多幅 A-Scan 圖像 Z 軸驅動限制

    Sonix Scan Mode(Sonix 掃描模式)
    1. A-Scan(單點掃描)
    2. B-Scan(橫截面掃描)
    3. C-Scan(面掃描)
    4. TAMI(多層掃描)
    5. T-scan(穿透掃描)

     


    應用領域及分析案例
     

    目前用于電子封裝或組裝分析的主要是C模式的超聲掃描聲學顯微鏡,它是利用高頻超聲波在材料不連續界面上反射產生的振幅及位相與極性變化來成像,其掃描方式是沿著Z軸掃描X-Y平面的信息。因此,掃描聲學顯微鏡可以用來檢測元器件、材料以及PCB與PCBA內部的各種缺陷,包括裂紋、分層、夾雜物以及空洞等。如果掃描聲學的頻率寬度足夠的話,還可以直接檢測到焊點的內部缺陷。
     

    典型的掃描聲學的圖像是以紅色的警示色表示缺陷的存在,由于大量塑料封裝的元器件使用在SMT工藝中,由有鉛轉換成無鉛工藝的過程中,大量的潮濕回流敏感問題產生,即吸濕的塑封器件會在更高的無鉛工藝溫度下回流時出現內部或基板分層開裂現象,在無鉛工藝的高溫下普通的PCB也會常常出現爆板現象。此時,掃描聲學顯微鏡就凸現其在多層高密度PCB無損探傷方面的特別優勢。而一般的明顯的爆板則只需通過目測外觀就能檢測出來。

    非破壞性、無損傷檢測內部結構,可分層掃描、多層掃描,實施、直觀的圖像及分析,缺陷的測量及百分比的計算,可顯示材料內部的三維圖像,對人體是沒有傷害的,可檢測各種缺陷(裂紋、分層、夾雜物、附著物、空洞、孔洞、晶界邊界等) 晶元面處脫層,錫球、晶元、或填膠中之裂縫,晶元傾斜,各種可能之孔洞(晶元接合面、錫球、填膠…等), 覆晶構裝之分析。

     

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